Hall effect and electrical resistivity of ZnO thin films deposited by reactive evaporation

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In this work, results about theconcerning of themost influential parameter on the figure of meritof ZnO thin films deposited by the reactiveevaporation method are showed. This parameter isthe content of oxygen in the preparation chamber.It was established that the best figure of meritdefined in terms resistivity and the transmittance,is achieved for oxygen contents corresponding to apartial pressure of around 0.3 mbar. This samplespresent simultaneously high transmission (>80%)and high conductivity (>103 (Ωcm)–1), which makethem adequate for being used as transparent electriccontact in thin film solar cells. Special emphasiswas devoted to the determination of the electricalresistivity and carrier density by van der Pauw method.
La investigación del presente trabajo muestraque el parámetro de mayor influencia sobre lafigura de mérito de películas delgadas de ZnOdepositadas por el método de evaporaciónreactiva, es el contenido de oxigeno en la cámarade preparación. Se establece que la mejor figurade mérito está definida en términos de resistividady de transmitancia espectral, con contenido deoxigeno correspondiente a una presión parcial de0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamentealta transmisión (>80%) y conductividad (>103W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contactoeléctrico transparente en celdas solares. El especialénfasis esta dedicado a la determinación de laresistividad eléctrica y concentración de portadoresde carga a través del método de van der Pauw.

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