Evaluación del incremento de radiación captada por un sistema de concentración en V para la ciudad de Bogotá, D.C.

Abstract

Se presenta un estudio para observar el comportamiento de un sistema de concentración en V (SCV), como medio para estimar la radiación incidente sobre una superficie plana, con base en las coordenadas solares descritas en las ecuaciones de Spencer, J. W. Aumentar las áreas de captación solar es una forma para incrementar la radiación solar capturada por una superficie plana por medio de la reflexión. Maximizando la fracción de radicación solar captada; para tal propósito fue desarrollado el sistema de concentración en V (SCV), que agrega cuatro superficies de espejos planos a una superficie plana, cada una con un ángulo de inclinación respecto a la superficie de captación (plana). De estos se elaboró un modelo estadístico para encontrar una regresión y así exponer el comportamiento específico de las áreas de reflexión del (SCV), con el propósito de encontrar el ángulo óptimo que lograra un incremento en la captación de radiación sobre la superficie plana.

It presents a study to observe the behavior of a V concentration system (VCS), as a means to estimate the incident radiation on a flat surface, based on the solar coordinates described in the equations of Spencer, J.W. Increasing the areas of solar capture is a way to increase the solar radiation captured by a flat surface by means of reflection. Maximizing the fraction of solar radiation captured; for that purpose, the V-Concentration System (VCS) was developed, adding four flat mirror surfaces to a flat surface, each with an inclination angle to the (flat) pickup surface. A statistical model was developed to find a regression and thus to expose the specific behavior of the areas of reflection of the (VCS), with the purpose of finding the optimal angle that would achieve an increase in the uptake of radiation on the flat surface